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常用集成电路的封装形式CLCC　DIPDualInlinePackage　DIP-tabDualInlinePackagewithMetalHeatsinkFBGAFDIPFTO220FlatPackHSOP28ITO220ITO3pJLCCLCCLDCCLGALQFPPCDIPPLCC　PQFPP......

[图文] 用多光子光刻制作65nm聚合物结构

常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影，从而形成图案。佐治亚理工学院（GeorgiaInstituteofTechnology）的研究人员正在研究一种多光子光刻技术，不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。　　这种技术采用计算机程序来扫描每一层的不同图案，从而可以......

[图文] 光刻胶使用量预测与库存

在用于半导体制造的化学品中，最贵的是光刻胶、抗反射涂层（ARC）和聚酰亚胺（polyimide）等。精确地预测这些特殊的光化学物质的使用量，对于半导体fab的平稳运行非常重要。库存过多会导致极大的浪费，而库存过少则说明生产状况和来自化学品供应商的供货不够顺畅，有可能使生产中断。　　大多数先进光刻胶的......

2007年成长率不佳中小型晶圆厂各展求生本领

市调机构Gartner再度发布对晶圆晶圆代工景气保守看法，2007年晶圆代工恐仅较去年成长3.3%，但明年仍可保有不错的17%年成长率。由于今年晶圆代工表现可说平平，大厂虽然积极跨入先进制程，但价格竞争激烈却抵销部分成长力道；而中小型代工厂更纷纷努力自各展现求生本领，包括朝太阳能市场前进、积极开拓策......

22纳米后EUV光刻还是电子束光刻？市场看法存分歧

浸润式微显影双重曝光能进一步延伸摩尔定律的寿命至32纳米，不过，22纳米以下究竟哪种技术得以出头，争议不断。据了解，台积电目前正积极研发22纳米以下直写式多重电子束(MEBDW)方案，并已有具体成果，但积极推动深紫外光(EUV)的ASML则表示，目前已有数家客户下单，最快2009年便可出货，但哪种技......

NAND Flash产业50纳米挑大梁 4Q占产出上看30％

2007年NANDFlash在50纳米制程技术上，进度相当缓慢，主要是因为之前NANDFlash大厂在转换制程过程中，陆续出纰漏，使得这次各厂转制程的态度上更加小心翼翼。目前三星电子(SamsungElectronics)、东芝(Toshiba)的50纳米制程已开始量产中，海力士(Hynix)的57......

海力士、意法合资企业无锡厂升级随时可投产NAND Flash

海力士(Hynix)与意法半导体(STMicroelectronics)中国合资企业总裁SeoKyo-seok日前接受路透社记者访问时表示，进入2009年以后，以8英寸晶圆投产DRAM已无经济效益可言，目前该公司无锡厂分别有8英寸产线与12英寸产线，公司计划在2009年初以前完全升级到以12英寸产线......

我国半导体产业“新思维” 把握主流突破难点

编者按：如何评价我国半导体产业的现状？我国半导体产业发展的突出矛盾是什么？我国半导体产业应该采取什么样的发展策略？今年IC产业的发展态势如何？对于上述问题可谓是仁者见仁、智者见智。以下是我国半导体业界知名企业高层把脉产业大势，透视产业未来，评点市场热点。　　中国半导体行业协会集成电路设计分会常务副理......

18吋晶圆:台积电预计2012年试产设备商、自动化业者持保守态度

18吋(450mm)晶圆厂何时到来？半导体界意见纷歧。晶圆代工龙头台积电表示，12吋晶圆将在2012年比重超过5成跃居主流，同时是年18吋晶圆也将进入试产阶段，这是台积电首次明确对外宣布18吋晶圆时间表；不过，相较于台积电积极投入研发18吋晶圆，设备商应用材料(AppliedMaterials)及厂......

松下45nm工艺“UniPhier”集成2.5亿个晶体管

松下电器产业日前在东京一家宾馆内，就“CEATECJAPAN2007”上发布的蓝光光盘录像机和DVD录像机配备的45nm工艺SoC（系统级芯片）“UniPhier”做了说明。与2000年发布的180nm产品相比，晶体管个数增至原来10倍左右，约2亿5000万个，耗电量减小70％，底板面积减小94％，......

台积电将购买美商Atmel八吋晶圆厂机器设备

台积电今日与美商Atmel公司签订合约，购买其位于英国NorthTyneside八吋晶圆厂的机器设备，交易总金额为8200万美元。双方同意不对外揭露合约其他细节。台积公司营运组织一资深副总经理魏哲家表示，台积公司一向致力于提供客户最具竞争力的专业积体电路制造服务，不论是在先进制程或是成熟制程方面。此......

中芯国际兴建武汉晶圆厂进度受阻

据一名外国分析师透露，中国晶圆代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(SemiconductorManufacturingInternationalCorp.，以下简称中芯国际)放缓了他们在武汉的300毫米晶圆厂的施工进度。　　“我们听说这座新武汉晶圆厂的建设由于与尔必达的定价谈判未最终达成而不得不推迟......

激光等离子体EUV光源令人期待

　虽然近来放电等离子体（DPP）光源被认为是极紫外（EUV）光刻beta工具的最强有力的候选者，但是根据最近由Sematech在Baltimore，Md.主办的EUV光源研讨会（EUVSourceWorkshop）上的科学家们的观点，激光等离子体（LPP）光源似乎正在取得进展。　　根据光源供应商的说......

海力士在华生产66纳米DRAM 引技术外泄争议

海力士（Hynix）正在推进在有战略合作关系的台湾茂德(Promos)公司采用最尖端的66纳米工艺技术生产DRAM产品。另外，海力士已与意法半导体公司（STMicro）合作，在中国无锡建立的合作工厂生产采用66纳米工艺技术的DRAM产品。66纳米工艺是全球内存芯片企业中，只有三星电子和海力士成功实现......

[图文] 半导体产能比上年同期增长16.3％开工率提高

全球半导体产能统计协会（SICAS）日前宣布，2007年第三季度（7月～9月）全球半导体产能（MOSIC和双极IC的总和）比上年同期增长16.3％，达到210万2000枚/周（按200mm晶圆的投入量换算）。生产开工率为89.6％，高于上年同期的88.5％，与上季度的89.7％大体持平。　　其中，使......

半导体技术

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